طراحی مدارات مرجع ولتاژ (bandgap) در تکنولوژی cmos با ولتاژ تغذیه پایین

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و شبیه سازی مدار پیشنهادی، نواحی عملکرد مناسب ترانزیستورها را تعیین کردیم، سپس به مطالعه روش های انجام شده از گذشته تا به امروز پرداختیم و نتایج بدست آمده از مدار پیشنهادی را با روش های قبلی مقایسه کردیم و مشاهده کردیم که روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس در محدوده دمایی مشابه به نسبت عدم پذیرش منبع تغذیه بالاتر و ضریب دمایی بسیار پایین تری دست یافته است در نتیجه در این پژوهش نیز با بکارگیری همان روش (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) در مدار پیشنهادی به ضریب دمایی ، 2.2137 ppm/? و نسبت عدم پذیرش منبع تغذیه -185.8 دسی بل در محدوده دمایی 0 تا 83 درجه سانتیگراد دست یافتیم.